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      霍尼韋爾公司玻莫合金元件在2高斯的量程內對磁場的靈敏度達到100微高斯。為達到這一高分辨率,必須對磁傳感器進行“置位”。在芯片上有一小電流帶對玻莫合金薄膜進行置位和復位。這一技術也稱作對薄膜充
    磁,不需要外接線圈。
         制造過程中通常選定沿著薄膜長度的方向為軸,當玻莫合金薄膜受到外加磁場作用時,沿此方向電阻有最大的變化值。當受到強磁場干擾時(大于20 高斯)薄膜磁化極性會受到破壞,傳感器特性也會改變。針對這一破壞性的磁場,需對敏感元件施加一個瞬態的強恢復磁場來恢復或保持傳感器特性。這一操作是施加一個置位或復位脈沖。橋輸出信號的極性取決于薄膜內部的磁化的方向,并對稱于零磁場的輸出。
         霍尼韋爾公司在芯片上放置電流帶對薄膜進行再充磁,并擁有這項技術的專利。這種磁過程是純電子式的,不需外接笨重的線圈。可根據需要隨時進行手動或自動的操作,如檢查環境磁場是否超量程等,其中一種解決辦法是在系統通電時或通過一超量程的環境磁場時給傳感器施加一置位或復位脈沖。另一種方法是每次測量時,以一種倒轉的方式改變傳感器輸出極性,即驅動置位脈沖讀一次數,再驅動復位脈沖讀一次數,兩次讀數相減可消除因溫度漂移和電路參數漂移等共模信號造成的影響,從而得出一個與絕對磁場成正比例的輸出。且因此可使用低成本的電子元件,并且不需要對傳感器的平衡輸出進行精調。
         置位/復位電路有多種設計方法,應根據成本預算和設置的磁場分辨率來選擇最佳方案。置位脈沖和復位脈沖對傳感器所起的作用是基本一樣的,唯一的區別是傳感器的輸出改變正負號。進行置位或復位,需對玻莫合金薄膜施加3-4 安、20-50ns 的脈沖電流,置位或復位脈沖寬度為2 微秒。該脈沖寬度會對整個電源的消耗造成直接影響,可以縮短該寬度或減少使用次數,注意一個單脈沖只能在一個方向驅動,即如果用4安的脈沖對傳感器進行置位,脈沖將下降到零電流以下 ,任何電流的負脈沖信號會對傳感器“復位”,并使靈敏度不是最優。
        置位/復位電流脈沖的大小取決于系統的磁噪聲靈敏度,如果是最小分辨率為100 微高斯,則需4 安的脈沖。
        置位/ 復位片的引腳名稱是S/R+ 和S/R-。因為是一個簡單的金屬片,沒有極性的區別,標準阻值為1.5Ω ,所以對于三軸系統,三個金屬片串聯阻值為4.5Ω 。
        如果同時使用三個軸,金屬片以串聯形式連接以保證三個敏感元件上流過相同的電流脈沖,設定脈沖驅動電路內阻為0.5Ω ,則該電路可驅動5Ω 的負載。產生一個3~4安的最小脈沖驅動一個5Ω 的負載所需的供電電壓為15~20V。
       圖1電路經常用于程序存儲器刷新記憶,該電路也可用于置位/復位電路。用一個5V 供電系統產生一個20V 輸出需用一個SO-8 封裝的芯片,一對肖特基二極管和六個電容。無負載工作電流為185微安典型值,在關閉狀態下為0.5 微安,該電路選自Maxim 手冊。

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